Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда

Структурными и спектроскопическими методами были изучены эпитаксиальные слои твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As с $n$-типом проводимости, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что при легировании твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As углеродом на уровне (1.2 – 6.7) $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$ подвижность электронов оказалась аномально высокой для данной концентрации примеси и превосходила расчетную величину в 2 раза. Высказано предположение, что упорядоченное расположение углерода в металлической подрешетке твердого раствора приводит к изменению среднего расстояния между ионами примеси, т. е. к увеличению длины свободного пробега носителей заряда и, следовательно, величины подвижности носителей. Обнаруженный эффект имеет непосредственное практическое значение при поиске различных технологических методов повышения быстродействия функциональных элементов современной оптоэлектронной базы. Эффект аномально высокой подвижности носителей заряда в эпитаксиальном слое гетеропары предоставляет новые возможности по созданию новых структур на основе соединений Al$_x$Ga$_{1-x}$As.