Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1050–1055 (Mi phts7357)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования

В. А. Георгобиани, К. А. Гончар, Л. А. Осминкина, В. Ю. Тимошенко

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Аннотация: Методами электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции исследованы слои кремниевых нанонитей, выращенных металл-стимулированным травлением монокристаллических кремниевых подложек $p$-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 и 0.001 $\Omega$ $\cdot$ см и ориентацией поверхности (100). Установлено, что нанонити, выращенные на слабо легированных подложках, имеют непористую структуру в виде кристаллических остовов, покрытых нанокристаллами с размерами 3–5 нм. Нанонити, выращенные на сильно легированных подложках, имеют пористую структуру и содержат как малые нанокристаллы, так и более крупные кристаллиты с равновесными носителями заряда, которые влияют на межзонную излучательную рекомбинацию. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции нанонитей в диапазоне спектра 1.3–2.0 эВ зависит от присутствия молекулярного кислорода.
Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 19.01.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 8, Pages 1025–1029
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615080084
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Георгобиани, К. А. Гончар, Л. А. Осминкина, В. Ю. Тимошенко, “Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1050–1055; Semiconductors, 49:8 (2015), 1025–1029
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GeoGonOsm15}
\by В.~А.~Георгобиани, К.~А.~Гончар, Л.~А.~Осминкина, В.~Ю.~Тимошенко
\paper Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1050--1055
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7357}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195243}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1025--1029
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615080084}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7357
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1050
  • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025