Улучшение деградационной стойкости кремниевых наноструктур осаждением алмазоподобных углеродных пленок

Установлено, что осаждение алмазоподобной углеродной пленки на структуру с нанокластерами кремния в матрице диоксида кремния приводит к повышению интенсивности длинноволновой фотолюминесценции нанокластеров кремния благодаря пассивации рекомбинационно-активных центров водородом и к смещению максимума фотолюминесценции в область большей фоточувствительности солнечных элементов на основе кремния. Также показано, что деградационная стойкость таких структур к действию $\gamma$-облучения улучшается благодаря осаждению алмазоподобной углеродной пленки, что также обусловлено эффектом пассивации радиационно-индуцированных рекомбинационо-активных центров водородом, который высвобождается из пленки во время обработки.