П. А. Иванов, А. С. Потапов, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, А. В. Афанасьев, А. А. Романов, Е. В. Осачев, “Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1061–1064; Semiconductors, 49:8 (2015), 1035

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1061–1064 (Mi phts7359)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN

П. А. Иванов^a, А. С. Потапов^a, А. Е. Николаев^ab, В. В. Лундин^ab, А. В. Сахаров^ab, А. Ф. Цацульников^ab, А. В. Афанасьев^c, А. А. Романов^c, Е. В. Осачев^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

PDF полного текста (208 kB) Список цитирования (1)

Аннотация: Измерены и проанализированы вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN. Пленки GaN $n$-типа проводимости выращены на сапфировых подложках с ориентацией (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Оксид алюминия толщиной 60 нм нанесен на поверхность GaN методом атомно-слоевого осаждения из газовой фазы. Металлические контакты напылены электронно-лучевым испарением титана и алюминия в вакууме. По данным измерений напряженность поля пробоя оксида, относительная диэлектрическая проницаемость оксида и интегральная плотность электронных состояний на границе раздела оксид – полупроводник составляют 5 $\cdot$ 10$^6$ В/см, 7.5 и 3 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ соответственно.

Поступила в редакцию: 02.02.2015
Принята в печать: 10.02.2015

Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 8, Pages 1035–1038
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615080096

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: П. А. Иванов, А. С. Потапов, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, А. В. Афанасьев, А. А. Романов, Е. В. Осачев, “Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1061–1064; Semiconductors, 49:8 (2015), 1035–1038

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{IvaPotNik15}

\by П.~А.~Иванов, А.~С.~Потапов, А.~Е.~Николаев, В.~В.~Лундин, А.~В.~Сахаров, А.~Ф.~Цацульников, А.~В.~Афанасьев, А.~А.~Романов, Е.~В.~Осачев

\paper Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2015

\vol 49

\issue 8

\pages 1061--1064

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7359}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195245}

\transl

\jour Semiconductors

\yr 2015

\vol 49

\issue 8

\pages 1035--1038

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615080096}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts7359

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1061

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы