Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства

На основе построения карт обратного пространства были определены кристаллографические характеристики элементов конструкции MHEMT гетероструктуры с каналом In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As. Гетероструктура была выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности подложки GaAs с углом отклонения от плоскости (001) на 2$^\circ$ и состояла из ступенчатого метаморфного буфера, содержащего 6 слоев, включая инверсную ступень, высокотемпературного буферного слоя постоянного состава и активных HEMT слоев. Содержание InAs в слоях метаморфного буфера варьировалось от 0.1 до 0.48. Карты обратного пространства строились для симметричного отражения (004) и асимметричного отражения (224)+. Было обнаружено, что слои гетероструктуры характеризуются как углом наклона по отношению к плоскости подложки (001), так и углом поворота вокруг оси [001]. По мере увеличения концентрации InAs в слое угол наклона слоя увеличивается. Показано, что высокотемпературный буферный слой постоянного состава имеет наибольшую степень релаксации по сравнению со всеми другими слоями гетероструктуры.