|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1071–1077
(Mi phts7361)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния, диспрозия под действием электрического поля
М. Б. Шалимова, Н. В. Сачук Самарский государственный университет,
443011 Самара, Россия
Аннотация:
Исследовалась деградация характеристик кремниевых МОП структур с оксидами редкоземельных элементов под влиянием электрических полей (0.1–4) МВ/см в процессе электроформовки. Особенность электроформовки состоит в возможности многократного переключения структур из диэлектрического состояния в низкоомное и обратно. Временные характеристики деградации МОП структур при электроформовке описываются экспоненциальными зависимостями. Вольт-амперные характеристики представляют собой степенной закон в интервале 0.2–3 В, действие электрического поля приводит к изменению распределения энергетической плотности ловушек, ответственных за токи, ограниченные пространственным зарядом. Установлено, что множественные циклы электроформовки приводят к увеличению плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-оксид и изменению энергетического положения уровней ловушек, что ведет к изменению их зарядового состояния.
Поступила в редакцию: 26.01.2015 Принята в печать: 05.02.2015
Образец цитирования:
М. Б. Шалимова, Н. В. Сачук, “Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния, диспрозия под действием электрического поля”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1071–1077; Semiconductors, 49:8 (2015), 1045–1051
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7361 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1071
|
|