Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1071–1077 (Mi phts7361)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния, диспрозия под действием электрического поля

М. Б. Шалимова, Н. В. Сачук

Самарский государственный университет, 443011 Самара, Россия
Аннотация: Исследовалась деградация характеристик кремниевых МОП структур с оксидами редкоземельных элементов под влиянием электрических полей (0.1–4) МВ/см в процессе электроформовки. Особенность электроформовки состоит в возможности многократного переключения структур из диэлектрического состояния в низкоомное и обратно. Временные характеристики деградации МОП структур при электроформовке описываются экспоненциальными зависимостями. Вольт-амперные характеристики представляют собой степенной закон в интервале 0.2–3 В, действие электрического поля приводит к изменению распределения энергетической плотности ловушек, ответственных за токи, ограниченные пространственным зарядом. Установлено, что множественные циклы электроформовки приводят к увеличению плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-оксид и изменению энергетического положения уровней ловушек, что ведет к изменению их зарядового состояния.
Поступила в редакцию: 26.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 8, Pages 1045–1051
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615080199
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Б. Шалимова, Н. В. Сачук, “Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния, диспрозия под действием электрического поля”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1071–1077; Semiconductors, 49:8 (2015), 1045–1051
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaSac15}
\by М.~Б.~Шалимова, Н.~В.~Сачук
\paper Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния, диспрозия под действием электрического поля
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1071--1077
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7361}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195247}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1045--1051
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615080199}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7361
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1071
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025