Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1083–1087 (Mi phts7363)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs на эффект трибоэлектризации

А. В. Баклановa, А. А. Гуткинb, Н. А. Калюжныйb, П. Н. Брунковabc

a Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (507 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследована трибоэлектризация $n$-GaAs в результате сканирования по поверхности зонда атомно-силового микроскопа в контактном режиме. Получены зависимости локального изменения потенциала от скорости сканирования и силы прижима зонда. Результаты объясняются созданием точечных дефектов в приповерхностных слоях образцов под влиянием деформации этих слоев при сканировании зонда. Заряд, локализующийся на этих дефектах в равновесии, изменяет потенциал поверхности, подвергнутой трибоэлектризации. Показано, что для качественного объяснения наблюдающихся зависимостей необходимо учитывать как генерацию, так и аннигиляцию дефектов в области, подвергающейся деформации.
Поступила в редакцию: 28.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 8, Pages 1057–1061
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615080060
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бакланов, А. А. Гуткин, Н. А. Калюжный, П. Н. Брунков, “Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs на эффект трибоэлектризации”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1083–1087; Semiconductors, 49:8 (2015), 1057–1061
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BakGutKal15}
\by А.~В.~Бакланов, А.~А.~Гуткин, Н.~А.~Калюжный, П.~Н.~Брунков
\paper Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs на эффект трибоэлектризации
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1083--1087
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7363}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195249}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1057--1061
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615080060}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7363
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1083
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025