Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1095–1103 (Mi phts7365)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Углеродные системы

Вакансии в эпитаксиальном графене

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (275 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Методом когерентного потенциала рассмотрена задача о влиянии конечной концентрации случайно расположенных вакансий на плотность состояний эпитаксиального графена. Для описания плотности состояний подложки используются простые модели (Андерсона, Халдейна–Андерсона, параболическая). Электронный спектр однослойного свободного графена рассматривается в низкоэнергетическом приближении. Обсуждается переход заряда в системе графен-подложка. Показано, что во всех случаях плотность состояний эпитаксиального графена уменьшается пропорционально концентрации вакансий. При этом усредненное значение перехода заряда с графена в подложку увеличивается.
Поступила в редакцию: 12.11.2014
Принята в печать: 23.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 8, Pages 1069–1078
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615080072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Вакансии в эпитаксиальном графене”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1095–1103; Semiconductors, 49:8 (2015), 1069–1078
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav15}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Вакансии в эпитаксиальном графене
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1095--1103
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7365}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195251}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1069--1078
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615080072}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7365
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1095
    Исправления
    Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025