|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1104–1107
(Mi phts7366)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн $\lambda\approx$ 1550 нм на основе GaSb
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Ф. Ю. Солдатенков, Н. Х. Тимошина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
С использованием диффузии из газовой фазы в подложку $n$-GaSb получены фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения для длины волны $\lambda$ = 1550 нм. Изготовлены и протестированы под Хе-лампой фотоэлементы площадью $S$ = 4, 12.2 и 100 мм$^2$. На лучших образцах с $S$ = 12.2 мм$^2$ при плотности тока 8 A/cм$^2$ достигнута монохроматическая ($\lambda$ = 1550 нм) эффективность $\eta$ = 34.8%. Проведена оценка стабильности характеристик преобразователя непрерывного лазерного излучения и темпа его деградации при рабочей температуре $T\approx$ 120$^\circ$С.
Поступила в редакцию: 03.12.2014 Принята в печать: 15.12.2014
Образец цитирования:
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Ф. Ю. Солдатенков, Н. Х. Тимошина, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн $\lambda\approx$ 1550 нм на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1104–1107; Semiconductors, 49:8 (2015), 1079–1082
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7366 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1104
|
|