Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1108–1114 (Mi phts7367)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах

А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Предложена модель, описывающая работу полностью оптической ячейки, основанной на конкуренции генерации мод резонатора Фабри–Перо и высокодобротной замкнутой моды в мощных полупроводниковых лазерах. На основе скоростных уравнений рассмотрены условия переключения генерации между модами Фабри–Перо для основного и возбужденного уровней лазерной генерации и замкнутой модой при возрастании внутренних оптических потерь в условиях высоких уровней токовой накачки. Рассмотрены условия работы оптической ячейки в режиме модулятора мощного лазерного излучения (обратимое переключение модовых структур) и в режиме ячейки памяти с бистабильным необратимым переключением генерации между модовыми структурами различной добротности.
Поступила в редакцию: 29.12.2014
Принята в печать: 30.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 8, Pages 1083–1089
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615080151
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1108–1114; Semiconductors, 49:8 (2015), 1083–1089
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodShaSli15}
\by А.~А.~Подоскин, И.~С.~Шашкин, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин, И.~С.~Тарасов
\paper Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1108--1114
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7367}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195253}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1083--1089
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615080151}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7367
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1108
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025