Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1120–1123 (Mi phts7369)  
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP

А. С. Власовa, А. М. Минтаировab, Н. А. Калюжныйa, С. А. Минтаировa, Р. А. Салийa, А. И. Денисюкc, Р. А. Бабунцa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Notre Dame University, Notre Dame, IN, 46556, US
c НИУ "ИТМО", 197101 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (711 kB)
Аннотация: Исследован процесс МОС-гидридной эпитаксии квантовых точек InP/GaInP на “дефектах” подложки (GaAs), сформированных сфокусированным пучком ионов Ga$^+$. Показано, что в системе InP/GaInP могут быть получены упорядоченные массивы квантовых точек с плотностью 0.25 мкм$^{-2}$. Показано, что эффективная люминесценция может быть получена при использовании двух слоев квантовых точек, разделенных буфером GaAs/GaInP.
Поступила в редакцию: 18.11.2014
Принята в печать: 27.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 8, Pages 1095–1098
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615080230
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Власов, А. М. Минтаиров, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. И. Денисюк, Р. А. Бабунц, “Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1120–1123; Semiconductors, 49:8 (2015), 1095–1098
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VlaMinKal15}
\by А.~С.~Власов, А.~М.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, С.~А.~Минтаиров, Р.~А.~Салий, А.~И.~Денисюк, Р.~А.~Бабунц
\paper Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1120--1123
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7369}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195255}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1095--1098
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615080230}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7369
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1120
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025