Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур

Предложен способ получения высококачественных радиационно стойких КНС-структур при создании слоя наноразмерных пор в сапфире с помощью ионной имплантации гелия, то есть путем создания центров рекомбинации носителей заряда, при этом одновременно улучшается и качество кремниевого слоя. Обсуждается вопрос о термостабильности пор с тем, чтобы на получившемся модифицированном образце КНС можно было создать микросхему. Слой пор, имея большую совокупную поверхность, существенно уменьшает время жизни носителей заряда, генерируемых во время облучения работающей микросхемы, что приводит к уменьшению заряда на границе раздела кремний-сапфир и к повышению радиационной стойкости.