Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1129–1135 (Mi phts7371)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла

Н. А. Байдаковаab, А. И. Бобровb, М. Н. Дроздовab, А. В. Новиковab, Д. А. Павловb, М. В. Шалеевa, П. А. Юнинab, Д. В. Юрасовab, З. Ф. Красильникab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (311 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Исследована возможность использования подложек на основе структур “напряженный кремний на-изоляторе” с тонким (25 нм) захороненным слоем окисла для роста светоизлучающих SiGe-структур. Показано, что в отличие от подложек “напряженный кремний-на-изоляторе” с толстым (сотни нм) оксидным слоем температурная стабильность подложек с тонким окислом значительно ниже. Отработаны методики химической и термической очистки поверхности таких подложек, позволяющие как сохранить упругие напряжения в тонком слое Si на окисле, так и обеспечить очистку поверхности от загрязняющих примесей. Продемонстрирована возможность роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии на таких подложках светоизлучающих SiGe-структур высокого кристаллического качества.
Поступила в редакцию: 29.12.2014
Принята в печать: 19.01.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 8, Pages 1104–1110
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615080059
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1129–1135; Semiconductors, 49:8 (2015), 1104–1110
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiBobDro15}
\by Н.~А.~Байдакова, А.~И.~Бобров, М.~Н.~Дроздов, А.~В.~Новиков, Д.~А.~Павлов, М.~В.~Шалеев, П.~А.~Юнин, Д.~В.~Юрасов, З.~Ф.~Красильник
\paper Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках ``напряженный кремний-на-изоляторе'' с тонким слоем окисла
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1129--1135
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7371}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195257}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 8
\pages 1104--1110
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615080059}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7371
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i8/p1129
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025