Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках

Предложен новый лазерно-интерферометрический метод измерения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниках. Метод основан на интерференционно-абсорбционном взаимодействии в полупроводнике двух лазерных излучений. Инжектирующее излучение генерирует в полупроводнике дополнительные носители заряда, что приводит к изменению оптических констант материала и модуляции прошедшего через образец зондирующего излучения. При изменении расстояния между точками генерации носителей и зондирования регистрируют уменьшение концентрации носителей заряда, зависящее от длины диффузии, которая устанавливается сравнением экспериментальной и теоретической зависимостей величины сигнала зондирования от рассовмещения лучей инжектора и зонда. Метод успешно апробирован на полупроводниковых образцах разной толщины с различным состоянием поверхности и может быть использован при проведении научных исследований и в электронной промышленности.