ОДП в структурах $n$-Si с несимметричными по площади контактами

Рассмотрен физический механизм возникновения отрицательной дифференциальной проводимости в структурах кремния $n$-типа с сильно асимметричными по площади контактами. Показано, что эффект связан с формированием стационарной варизонной области вблизи точечного контакта структуры, обусловленным термоупругой деформацией кристалла, при неоднородном джоулевом разогреве.