|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1169–1174
(Mi phts7376)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон
Н. К. Морозоваa, В. Г. Галстянb, А. О. Волковa, В. Е. Мащенкоc a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт», 111250 Москва, Россия
b Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия
c Институт физической химии и электрохимии им. А. Н. Фрумкина РАН, г. Москва, 119071 Москва, Россия
Аннотация:
Изучение оптических свойств ZnO(Se) продолжает наши исследования систем ZnS(O), ZnSe(O), CdS(O) в контексте теории антипересекающихся зон. Имплантация ионами селена была проведена до концентрации 10$^{20}$ см$^{-3}$ в кристаллы ZnO высокой чистоты. Cпектры микрокатодолюминесценции, измеренные в растровом электронном микроскопе при температуре 100 K, давали информацию из объема имплантированного слоя. Выяснена природа оранжево-красной люминесценции слоев ZnO(Se)-Zn как результат образования HMAs системы, в которой ZnSe(O) возникает в процессе имплантации и радиационного отжига. Представлены данные, свидетельствующие о том, что природа зеленой люминесценции чистого “самоактивированного” ZnO–Zn является SA свечением, которое детально изучено на других соединениях A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ (ZnS(O), ZnSe(O)) и определяется комплексами собственных дефектов – А-центрами.
Поступила в редакцию: 12.01.2015 Принята в печать: 05.02.2015
Образец цитирования:
Н. К. Морозова, В. Г. Галстян, А. О. Волков, В. Е. Мащенко, “Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1169–1174; Semiconductors, 49:9 (2015), 1134–1139
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7376 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1169
|
|