Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1169–1174 (Mi phts7376)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон

Н. К. Морозоваa, В. Г. Галстянb, А. О. Волковa, В. Е. Мащенкоc

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт», 111250 Москва, Россия
b Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия
c Институт физической химии и электрохимии им. А. Н. Фрумкина РАН, г. Москва, 119071 Москва, Россия
Аннотация: Изучение оптических свойств ZnO(Se) продолжает наши исследования систем ZnS(O), ZnSe(O), CdS(O) в контексте теории антипересекающихся зон. Имплантация ионами селена была проведена до концентрации 10$^{20}$ см$^{-3}$ в кристаллы ZnO высокой чистоты. Cпектры микрокатодолюминесценции, измеренные в растровом электронном микроскопе при температуре 100 K, давали информацию из объема имплантированного слоя. Выяснена природа оранжево-красной люминесценции слоев ZnO(Se)-Zn как результат образования HMAs системы, в которой ZnSe(O) возникает в процессе имплантации и радиационного отжига. Представлены данные, свидетельствующие о том, что природа зеленой люминесценции чистого “самоактивированного” ZnO–Zn является SA свечением, которое детально изучено на других соединениях A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ (ZnS(O), ZnSe(O)) и определяется комплексами собственных дефектов – А-центрами.
Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1134–1139
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615090225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. К. Морозова, В. Г. Галстян, А. О. Волков, В. Е. Мащенко, “Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1169–1174; Semiconductors, 49:9 (2015), 1134–1139
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorGalVol15}
\by Н.~К.~Морозова, В.~Г.~Галстян, А.~О.~Волков, В.~Е.~Мащенко
\paper Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1169--1174
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7376}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195263}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1134--1139
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615090225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7376
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1169
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025