Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1184–1188 (Mi phts7379)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия

Е. А. Форшab, П. А. Форшac, П. К. Кашкаровabcd

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
b Факультет нано-, био-, информационных и когнитивных технологий Московского физико-технического института, 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
d Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения и стационарной фотопроводимости, а также изучена релаксация фотопроводимости после отключения освещения пленок нанокристаллического оксида индия (In$_2$O$_3$), синтезированных золь-гель методом. В зависимости от условий получения образцов варьировался средний размер нанокристаллов в них: наименьший средний размер нанокристаллов составлял 7–8 нм, наибольший – 39–41 нм. Из анализов оптических спектров поглощения и спектральной зависимости фотопроводимости определена оптическая ширина запрещенной зоны исследованных образцов In$_2$O$_3$. Обнаружено, что в нанокристаллическом In$_2$O$_3$ оптическая ширина запрещенной зоны заметно меньше оптической ширины запрещенной зоны в монокристаллическом In$_2$O$_3$. Изучены кинетики спада фотопроводимости в нанокристаллическом In$_2$O$_3$ в воздухе, вакууме и аргоне при комнатной температуре. Предложена модель, объясняющая наблюдаемый спад фотопроводимости.
Поступила в редакцию: 17.02.2015
Принята в печать: 25.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1149–1153
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615090109
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров, “Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1184–1188; Semiconductors, 49:9 (2015), 1149–1153
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ForForKas15}
\by Е.~А.~Форш, П.~А.~Форш, П.~К.~Кашкаров
\paper Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1184--1188
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7379}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195266}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1149--1153
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615090109}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7379
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1184
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025