Особенности электропроводности TlInSe$_2$ при фото- и рентгеновском возбуждениях

Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллов TlInSe$_2$ при фото- и рентгеновских возбуждениях. Вычислены параметры ловушки, которые равны $N_t$ = 5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$, $n_t$ = 4.5 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-3}$ и $\Delta E_t$ = 0.42 эВ при 300 K. Вычисленные значения $N_t$ и $n_t$ после рентгеновского возбуждения оказались 3 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$ и 3.2 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-3}$ соответственно. Исследованы зависимости коэффициентов рентгенопроводимости от интенсивностей облучения для монокристаллов TlInSe$_2$ при различных ускоряющих напряжениях $V_a$ и определено, что величина коэффициента рентгенопроводимости $K_\sigma$ экспоненциально уменьшается с ростом ускоряющего напряжения $V_a$ и дозы облучения.