Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te: учет излучательной рекомбинации

Анализируется вероятность излучательной рекомбинации носителей заряда в узкощелевых полупроводниках на примере твердых растворов Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te. Получены выражения для мнимой части диэлектрической проницаемости и вероятности излучательной рекомбинации в рамках трехзонной модели Кейна с учетом непараболической зависимости энергии носителей от волнового вектора. Показано, что учет такой непараболичности энергетического спектра носителей приводит к модификации зависимости мнимой части диэлектрической проницаемости от частоты. Проведено сравнение выражений для вероятности излучательной рекомбинации, полученных в рамках простой параболической модели и модели Кейна с учетом и без учета эффекта непараболичности. Показано, что вклады в рекомбинацию переходов электронов в зоны тяжелых и легких дырок близки и при вычислении вероятности излучательной рекомбинации пренебрегать вкладом легких дырок нельзя.