Природа оранжевой (2 эВ) фотолюминесценции в пленках SiO$_2$, имплантированных большими дозами ионов Si$^+$

Изучены спектры фотолюминесценции и спектры возбуждения фотолюминесценции в пленках SiO$_2$, имплантированных большими дозами ионов Si$^+$ (3 ат%), в зависимости от температуры последующего отжига. Показано, что в спектрах доминируют две полосы фотолюминесценции с максимумом 2.7 и 2 эВ, соотношение интенсивностей которых с ростом температуры отжига изменяется в пользу первой. Обе полосы фотолюминесценции имеют основной максимум возбуждения с энергией 5.1 эВ. В спектре возбуждения полосы $\sim$ 2 эВ присутствуют также пики 3.8 и 4.6 эВ. Сделано заключение, что природа оранжевой полосы фотолюминесценции в имплантированных пленках SiO$_2$ обусловлена излучательными переходами между уровнями центров, связанных с дефицитом кислорода ($\equiv$ Si–Si $\equiv$ или = Si:), и уровнями немостикового кислорода ($\equiv$ Si–O$\bullet$).