Люминесценция свежевведенных $a$-винтовых дислокаций в низкоомном GaN

Методом катодолюминесценции в растровом электронном микроскопе установлено, что прямолинейные сегменты $a$-винтовых дислокаций, введенных пластической деформацией при комнатной температуре в специально не легированный низкоомный нитрид галлия, люминесцируют в спектральной области 3.1–3.2 эВ при 70 K. Спектральный состав дислокационной люминесценции характеризуется тонкой дублетной структурой с шириной компонент $\sim$ 15 мэВ и величиной расщепления $\sim$ 30 мэВ, сопровождающихся LO-фононными повторениями. Люминесцирующие винтовые дислокации двигаются под действием электронного луча и при низких температурах, но сохраняют неподвижность в течение длительного времени в отсутствие внешнего возбуждения. Оптические переходы с участием состояний квантовой ямы дефекта упаковки в расщепленном ядре дислокаций рассматриваются как наиболее вероятный механизм наблюдаемого явления.