Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1223–1226 (Mi phts7387)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Хаотический потенциал на поверхности компенсированного полупроводника в условиях самоорганизации электрически активных дефектов

В. Б. Бондаренко, А. В. Филимонов

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (133 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследуются естественные неоднородности электрического потенциала на поверхности полупроводника в условиях частичной самоорганизации электрически активных дефектов – формирования в слоях обеднения донорно-акцепторных ионных пар. Определены амплитуда и характер пространственного распределения хаотического потенциала на поверхности полупроводника в случаях локализованных и делокализованных поверхностных состояний. Получена зависимость амплитуды хаотического потенциала от уровня компенсации полупроводника.
Поступила в редакцию: 17.02.2015
Принята в печать: 26.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1187–1190
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615090080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Б. Бондаренко, А. В. Филимонов, “Хаотический потенциал на поверхности компенсированного полупроводника в условиях самоорганизации электрически активных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1223–1226; Semiconductors, 49:9 (2015), 1187–1190
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonFil15}
\by В.~Б.~Бондаренко, А.~В.~Филимонов
\paper Хаотический потенциал на поверхности компенсированного полупроводника в условиях самоорганизации электрически активных дефектов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1223--1226
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7387}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195276}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1187--1190
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615090080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7387
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1223
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025