Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1233–1237 (Mi phts7389)  
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Каскадный захват электронов на доноры в квантовых ямах GaAs

В. Я. Алешкинab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (195 kB)
Аннотация: Вычислено прицельное расстояние каскадного захвата электрона на заряженный донор в квантовых ямах GaAs. Предложено простое аналитическое выражение для его приближенного описания. Найдена зависимость прицельного расстояния от температуры при рассеянии электрона на пьезоэлектрическом потенциале акустических фононов.
Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 25.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1197–1201
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261509002X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, “Каскадный захват электронов на доноры в квантовых ямах GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1233–1237; Semiconductors, 49:9 (2015), 1197–1201
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ale15}
\by В.~Я.~Алешкин
\paper Каскадный захват электронов на доноры в квантовых ямах GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1233--1237
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7389}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195278}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1197--1201
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261509002X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7389
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1233
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025