Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1238–1242 (Mi phts7390)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Л. П. Авакянцa, П. Ю. Боковa, Г. Б. Галиевb, И. П. Казаковc, А. В. Червяковa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия
b Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, 113105 Москва, Россия
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (405 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследованы гетероструктуры на основе GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами шириной от 20 до 35 нм. Установлено, что параметр уширения спектральных линий, связанных с межзонными переходами, увеличивается с ростом энергии межзонного перехода и уменьшается с увеличением ширины квантовой ямы. Наблюдаемое уменьшение ширины спектральных линий с ростом ширины квантовой ямы связывается с пространственной неоднородностью гетерограниц, которая для исследованных структур составила 0.34–0.39 нм (1.3–1.4 монослоя).
Поступила в редакцию: 17.02.2015
Принята в печать: 25.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1202–1206
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615090031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, Г. Б. Галиев, И. П. Казаков, А. В. Червяков, “Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1238–1242; Semiconductors, 49:9 (2015), 1202–1206
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvaBokGal15}
\by Л.~П.~Авакянц, П.~Ю.~Боков, Г.~Б.~Галиев, И.~П.~Казаков, А.~В.~Червяков
\paper Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1238--1242
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7390}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195279}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1202--1206
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615090031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7390
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1238
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025