Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой In$_x$Ga$_{1-x}$As с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения

Приведены результаты исследований спектров фотолюминесценции гетероструктур с квантовой ямой In$_x$Ga$_{1-x}$As с высоким содержанием индия $x$ при разной мощности лазерного излучения. Обнаружено, что для гетероструктур с квантовой ямой In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As наблюдается уменьшение полуширины спектра фотолюминесценции, а также смещение его максимума в сторону бoльших энергий по мере увеличения плотности мощности излучения. Показано, что для гетероструктур с квантовой ямой Al$_{0.27}$Ga$_{0.73}$As/In$_{0.20}$Ga$_{0.80}$As смещения максимума и изменения формы спектра не наблюдается. Установлено, что интегральная интенсивность фотолюминесценции связана с плотностью мощности лазерного излучения степенным законом с показателем $\alpha\approx$ 1.3 для гетероструктур с $x\approx$ 0.76, что свидетельствует о преимущественно экситонном характере излучательной рекомбинации носителей заряда.