Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1258–1261 (Mi phts7393)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$–$n$-переходах

Р. В. Кузьминa, Н. Т. Баграевab, Л. Е. Клячкинa, А. М. Маляренкоa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (253 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Исследуются сверхмелкие $p^+$–$n$-переходы, полученные в рамках кремниевой планарной технологии, основанной на кратковременной неравновесной диффузии бора из газовой фазы в подложки $n$-Si (100) после их предварительного окисления и вскрытия окон в SiO$_2$ с помощью электронной литографии и реактивного ионного травления. Измеренные спектры электро- и фотолюминесценции демонстрируют излучение в диапазоне 1–1.6 мкм, что свидетельствует о наличии большой концентрации дефектов, возникающих, вероятно, вследствие аморфизирующего действия ионов на стадии травления.
Поступила в редакцию: 05.03.2015
Принята в печать: 13.03.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1222–1225
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615090171
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Кузьмин, Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, “Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$–$n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1258–1261; Semiconductors, 49:9 (2015), 1222–1225
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzBagKly15}
\by Р.~В.~Кузьмин, Н.~Т.~Баграев, Л.~Е.~Клячкин, А.~М.~Маляренко
\paper Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$--$n$-переходах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1258--1261
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7393}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195282}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1222--1225
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615090171}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7393
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1258
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025