Действие водорода на электрофизические характеристики структурных элементов тонкопленочной системы Pt/WO$_x$/6H-SiC

Проведена оптимизация условий формирования тонкопленочной системы Pt/WO$_x$/SiC на монокристалле карбида кремния (6H-SiC). Полученная система обладала стабильными характеристиками и позволяла эффективно регистрировать водород при низких концентрациях в воздушной среде при температурах 350$^\circ$C, а также длительное время удерживать водород в решетке WO$_x$ при комнатной температуре. При концентрации водорода $\sim$ 0.2% сдвиг по напряжению обратных ветвей вольт-амперных характеристик достигал 6.5 В при токе 0.4 мкА из-за большой величины последовательного сопротивления, определяемого областями объемного заряда в WO$_x$ и SiC. Проведены структурно-фазовые исследования оксидного слоя при различных режимах воздействия водородосодержащей среды на систему Pt/WO$_x$/SiC. Выявлена корреляция в изменениях ее электрофизических свойств (способности к накоплению заряда и изменению величины сопротивления) и структурного состояния оксидного слоя. Предложено объяснение наблюдаемых под воздействием водорода изменений в токопрохождении через систему Pt/WO$_x$/SiC и ее контактные области (барьерные слои).