Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1273–1277 (Mi phts7395)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние поверхностной модификации катализаторами на газовую чувствительность пленок SnO$_2$+3% SiO$_2$

С. И. Рембезаa, Е. С. Рембезаa, Н. Н. Кошелеваa, В. М. Аль Тамеемиb

a Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия
b University of Diyala, Daila, Republic Iraq
PDF полного текста (235 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Тонкие пленки SnO$_2$+3% SiO$_2$ (250 нм), изготовленные методом магнетpонного распыления в контролируемой атмосфере Ar+O$_2$, использованы в качестве сенсорных элементов в датчике газов, изоготовленном по микроэлектронной технологии. Датчик содержит два чувствительных элемента, один из которых использовался как контрольный, а на поверхность второго наносился водный раствор (3, 6, 9, 12 ммоль) нитрата серебра Ag(NO$_3$) или хлорида палладия PdCl$_2$. Установлено, что поверхностная модификация катализаторами снижает температуру максимальной газовой чувствительности SnO$_2$+3% SiO$_2$ на 100–200$^\circ$C, а в некоторых случаях также и увеличивает величину максимальной газовой чувствительности в несколько раз.
Поступила в редакцию: 15.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1237–1241
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615090249
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. И. Рембеза, Е. С. Рембеза, Н. Н. Кошелева, В. М. Аль Тамееми, “Влияние поверхностной модификации катализаторами на газовую чувствительность пленок SnO$_2$+3% SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1273–1277; Semiconductors, 49:9 (2015), 1237–1241
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RemRemKos15}
\by С.~И.~Рембеза, Е.~С.~Рембеза, Н.~Н.~Кошелева, В.~М.~Аль Тамееми
\paper Влияние поверхностной модификации катализаторами на газовую чувствительность пленок SnO$_2$+3\% SiO$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1273--1277
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7395}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195284}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1237--1241
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615090249}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7395
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1273
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025