Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1278–1281 (Mi phts7396)  
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC

Р. В. Конаковаa, О. Б. Охрименкоa, А. М. Светличныйb, О. А. Агеевb, Е. Ю. Волковb, А. С. Коломийцевb, И. Л. Житяевb, О. Б. Спиридоновc

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
b Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, 347900 Таганрог, Россия
c Южный лазерный инновационно-технологический центр, 347900 Таганрог, Россия
PDF полного текста (391 kB) Список цитирования (20)
Аннотация: Проведена оценка свойств острийного автоэмиссионного катода, представляющего собой структуру, выполненную в виде острия из карбида кремния, покрытого тонкой пленкой графена. Для острийного катода с графеновым покрытием построены вольт-амперные характеристики в координатах Фаулера–Нордгейма, по наклону которых были рассчитаны величины работы выхода $\varphi$ из острийного катода. Показана возможность формирования на острийной поверхности сильно легированного $n^+$-SiC методом сублимации низкопороговых автоэмиссионных катодов с низкими пороговыми величинами электрического поля и тока автоэлектронной эмиссии.
Поступила в редакцию: 04.02.2014
Принята в печать: 19.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 9, Pages 1242–1245
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615090146
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Конакова, О. Б. Охрименко, А. М. Светличный, О. А. Агеев, Е. Ю. Волков, А. С. Коломийцев, И. Л. Житяев, О. Б. Спиридонов, “Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1278–1281; Semiconductors, 49:9 (2015), 1242–1245
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonOkhSve15}
\by Р.~В.~Конакова, О.~Б.~Охрименко, А.~М.~Светличный, О.~А.~Агеев, Е.~Ю.~Волков, А.~С.~Коломийцев, И.~Л.~Житяев, О.~Б.~Спиридонов
\paper Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1278--1281
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7396}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195285}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 9
\pages 1242--1245
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615090146}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7396
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i9/p1278
    • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025