Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1297–1303 (Mi phts7398)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом

Е. П. Зарецкаяa, В. Ф. Гременокa, А. В. Семченкоb, В. В. Сидскийb, Р. Л. Юшкенасc

a Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Белоруссия
b Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины, 246699 Гомель, Белоруссия
c Государственный научно-исследовательский институт "Центр по физическим и технологическим наукам", ЛТ-01108 Вильнюс, Литва
PDF полного текста (1267 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Пленки ZnO : Al получены золь-гель осаждением с применением различного типа реагентов при температурах 350–550$^\circ$C. Методами атомно-силовой микроскопии, рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света и оптического пропускания исследована зависимость структурных, морфологических и оптических свойств ZnO : Al покрытий от условий осаждения. Определены оптимальные условия получения слоев ZnO : Al с преимущественной ориентацией в направлении [001] и низкой шероховатостью поверхности. Полученные слои имеют коэффициент оптического пропускания до 95% в широком спектральном диапазоне и могут быть использованы в приборах оптоэлектроники.
Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1253–1258
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615100280
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. П. Зарецкая, В. Ф. Гременок, А. В. Семченко, В. В. Сидский, Р. Л. Юшкенас, “Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1297–1303; Semiconductors, 49:10 (2015), 1253–1258
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZarGreSem15}
\by Е.~П.~Зарецкая, В.~Ф.~Гременок, А.~В.~Семченко, В.~В.~Сидский, Р.~Л.~Юшкенас
\paper Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1297--1303
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7398}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195288}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1253--1258
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615100280}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7398
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1297
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025