Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1314–1319 (Mi phts7400)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Смена механизма переноса в области перехода от сублинейности к суперлинейности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников

М. А. Ормонт

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Аннотация: Исследован переход частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников от сублинейного к суперлинейному поведению с ростом частоты; такой переход наблюдается для многих неупорядоченных систем. Показано, что стандартный подход к расчету суперлинейности частотной зависимости прыжковой проводимости вида $\operatorname{Re}\sigma(\omega)\sim\frac{\omega}{\ln(\omega_{\mathrm{c,ph}}/\omega)}$ ($\omega_{\mathrm{c,ph}}$ – характерная частота), основанный на использовании одночастичной плотности состояний с кулоновской щелью, вообще говоря, не применим при расчете высокочастотной проводимости. Суперлинейность экспериментально измеренных частотных зависимостей проводимости $\operatorname{Re}{\sigma(\omega)}$ в переходной области частот указывает на независимость оптимальной длины прыжка от частоты и на определяющую роль резонансного механизма проводимости. Резонансный механизм обусловливает и аномально большие измеряемые значения $\operatorname{ctg}(\gamma)=\operatorname{Im}\sigma/\operatorname{Re}\sigma$ ($\gamma$ – угол диэлектрических потерь) в переходной области частот.
Поступила в редакцию: 03.03.2015
Принята в печать: 09.03.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1270–1275
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615100206
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Ормонт, “Смена механизма переноса в области перехода от сублинейности к суперлинейности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1314–1319; Semiconductors, 49:10 (2015), 1270–1275
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Orm15}
\by М.~А.~Ормонт
\paper Смена механизма переноса в области перехода от сублинейности к суперлинейности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1314--1319
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7400}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195290}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1270--1275
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615100206}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7400
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1314
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025