|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1314–1319
(Mi phts7400)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Смена механизма переноса в области перехода от сублинейности к суперлинейности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников
М. А. Ормонт Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Аннотация:
Исследован переход частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников от сублинейного к суперлинейному поведению с ростом частоты; такой переход наблюдается для многих неупорядоченных систем. Показано, что стандартный подход к расчету суперлинейности частотной зависимости прыжковой проводимости вида $\operatorname{Re}\sigma(\omega)\sim\frac{\omega}{\ln(\omega_{\mathrm{c,ph}}/\omega)}$ ($\omega_{\mathrm{c,ph}}$ – характерная частота), основанный на использовании одночастичной плотности состояний с кулоновской щелью, вообще говоря, не применим при расчете высокочастотной проводимости. Суперлинейность экспериментально измеренных частотных зависимостей проводимости $\operatorname{Re}{\sigma(\omega)}$ в переходной области частот указывает на независимость оптимальной длины прыжка от частоты и на определяющую роль резонансного механизма проводимости. Резонансный механизм обусловливает и аномально большие измеряемые значения $\operatorname{ctg}(\gamma)=\operatorname{Im}\sigma/\operatorname{Re}\sigma$ ($\gamma$ – угол диэлектрических потерь) в переходной области частот.
Поступила в редакцию: 03.03.2015 Принята в печать: 09.03.2015
Образец цитирования:
М. А. Ормонт, “Смена механизма переноса в области перехода от сублинейности к суперлинейности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1314–1319; Semiconductors, 49:10 (2015), 1270–1275
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7400 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1314
|
|