Исследование токовых неустойчивостей в гетеропереходах Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М

Исследованы особенности токовых неустойчивостей в гетеропереходах Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М при низких температурах и при “собственном” освещении с $h\nu\ge$ 1.12 эВ. Показано, что при высоких приложенных напряжениях можно получить автоколебания низкой частоты, связанные с усилением и гашением фотопроводимости.