Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

Исследована длина диффузии неосновных носителей заряда при комнатной температуре в слоях $n$-Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$N для ультрафиолетовых фотоприемников, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира (0001). Измерения были выполнены для тонких образцов с использованием спектральной зависимости фототока, регистрируемого встроенным $p$–$n$-переходе, и с помощью методики наведенного электронного тока для пленок до 2 мкм в толщину. Результаты показывают, что длина диффузии дырок в $n$-AlGaN плeнках составляет 120–150 нм, что в 3–4 раза больше, чем в слоях GaN, выращенных в аналогичных ростовых условиях. Данный результат может быть связан с бoльшими латеральными размерами характерных для молекулярно-лучевой эпитаксии гексагональных ростовых колонн в слоях AlGaN. Увеличения длины диффузии дырок в более толстых плeнках не наблюдается.