Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1335–1338 (Mi phts7404)  
Электронные свойства полупроводников

Влияние ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута на развитие гелиевых блистеров в кремнии

В. Ф. Реутовa, С. Н. Дмитриевa, А. С. Сохацкийa, А. Г. Залужныйb

a Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций им. Г. Н. Флерова, 141980 Дубна, Россия
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
PDF полного текста (958 kB)
Аннотация: Понимание особенностей поведения гелия в твердых телах в условиях воздействия интенсивного ионизирующего излучения представляет определенный интерес при решении многих проблем ядерного, термоядерного и космического материаловедения, а также в микроэлектронике. В работе описывается обнаруженный эффект подавления образования гелиевых блистеров на поверхности ионно-легированного гелием кремния в результате облучения высокоэнергетическими ионами висмута. Сделано предположение о возможном уменьшении концентрации атомов гелия в кремнии за счет их радиационно-индуцированной десорбции из зоны легирования в условиях ионизационного воздействия от высокоэнергетических ионов висмута.
Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 26.03.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1290–1293
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261510022X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Реутов, С. Н. Дмитриев, А. С. Сохацкий, А. Г. Залужный, “Влияние ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута на развитие гелиевых блистеров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1335–1338; Semiconductors, 49:10 (2015), 1290–1293
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ReuDmiSok15}
\by В.~Ф.~Реутов, С.~Н.~Дмитриев, А.~С.~Сохацкий, А.~Г.~Залужный
\paper Влияние ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута на развитие гелиевых блистеров в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1335--1338
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7404}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195294}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1290--1293
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261510022X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7404
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1335
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025