Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в $n$-Ge : As вблизи фазового перехода изолятор–металл

Методом СКВИД-магнитометрии измерена и исследована низкотемпературная (температуры $T\le$ 100 K) восприимчивость серии образцов сильно легированного Ge : As на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл. Вычитанием из нее известных значений магнитной восприимчивости решетки получены значения для примесной магнитной восприимчивости системы. С помощью метода электронного парамагнитного резонанса определена парамагнитная составляющая примесной восприимчивости. Вычитанием из полной примесной восприимчивости ее парамагнитной составляющей впервые получены значения примесной диамагнитной восприимчивости, которые оказались $\sim$ 5 $\cdot$ 10$^{-8}$ см$^3$/г. Полученный результат соответствует оценкам, сделанным для радиуса локализации электрона на доноре As. Понижение температуры в область очень низких значений ($T\le$ 4 K) приводит к возрастанию диамагнитной восприимчивости, практически соответствующему наблюдаемому росту парамагнитной восприимчивости. Наблюдаемый эффект объяснен переходом примесных электронов из синглетного в триплетное состояние.