|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1346–1350
(Mi phts7406)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Анизотропный смешанный механизм рассеяния дырок в кристаллах Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1) по данным эффектов Нернста–Эттингсгаузена и Зеебека
С. А. Немовab, Н. М. Благихc, А. Аллаххахa, Л. Д. Ивановаd a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Забайкальский государственный университет, 672039 Чита, Россия
c Научно-производственное объединение "Поиск", 195197 Санкт-Петербург, Россия
d Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, 119991 Москва, Россия
Аннотация:
Исследованы температурные зависимости трех независимых коэффициентов тензора Нернста–Эттингсгаузена $Q_{ikl}$ вместе с коэффициентами электропроводности, термоэдс и Холла слоистых монокристаллов $p$-Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1). Установлено, что все $Q_{ikl}<$ 0 в исследованных кристаллах твердых растворов в диапазоне температур 77–400 K. Данные по эффекту Нернста–Эттингсгаузена и наблюдаемая анизотропия коэффициента Зеебека свидетельствуют об анизотропном смешанном механизме рассеяния дырок на акустических фононах и на примесях и дефектах с преобладающим вкладом рассеяния на колебаниях решетки как в плоскости скола кристаллов, так и в направлении тригональной оси. Оценки параметров рассеяния из четырех кинетических коэффициентов показали, что с ростом температуры они уменьшаются в связи с усилением фононного рассеяния. При более высоких температурах ($T\gtrsim$ 200 K) они становятся отрицательными, что, по-видимому, связано с межзонным рассеянием дырок в дополнительный экстремум валентной зоны.
Поступила в редакцию: 09.04.2015 Принята в печать: 20.04.2015
Образец цитирования:
С. А. Немов, Н. М. Благих, А. Аллаххах, Л. Д. Иванова, “Анизотропный смешанный механизм рассеяния дырок в кристаллах Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1) по данным эффектов Нернста–Эттингсгаузена и Зеебека”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1346–1350; Semiconductors, 49:10 (2015), 1302–1306
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7406 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1346
|
|