Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1346–1350 (Mi phts7406)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Анизотропный смешанный механизм рассеяния дырок в кристаллах Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1) по данным эффектов Нернста–Эттингсгаузена и Зеебека

С. А. Немовab, Н. М. Благихc, А. Аллаххахa, Л. Д. Ивановаd

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Забайкальский государственный университет, 672039 Чита, Россия
c Научно-производственное объединение "Поиск", 195197 Санкт-Петербург, Россия
d Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, 119991 Москва, Россия
Аннотация: Исследованы температурные зависимости трех независимых коэффициентов тензора Нернста–Эттингсгаузена $Q_{ikl}$ вместе с коэффициентами электропроводности, термоэдс и Холла слоистых монокристаллов $p$-Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1). Установлено, что все $Q_{ikl}<$ 0 в исследованных кристаллах твердых растворов в диапазоне температур 77–400 K. Данные по эффекту Нернста–Эттингсгаузена и наблюдаемая анизотропия коэффициента Зеебека свидетельствуют об анизотропном смешанном механизме рассеяния дырок на акустических фононах и на примесях и дефектах с преобладающим вкладом рассеяния на колебаниях решетки как в плоскости скола кристаллов, так и в направлении тригональной оси. Оценки параметров рассеяния из четырех кинетических коэффициентов показали, что с ростом температуры они уменьшаются в связи с усилением фононного рассеяния. При более высоких температурах ($T\gtrsim$ 200 K) они становятся отрицательными, что, по-видимому, связано с межзонным рассеянием дырок в дополнительный экстремум валентной зоны.
Поступила в редакцию: 09.04.2015
Принята в печать: 20.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1302–1306
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615100188
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, Н. М. Благих, А. Аллаххах, Л. Д. Иванова, “Анизотропный смешанный механизм рассеяния дырок в кристаллах Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1) по данным эффектов Нернста–Эттингсгаузена и Зеебека”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1346–1350; Semiconductors, 49:10 (2015), 1302–1306
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NemBlaAll15}
\by С.~А.~Немов, Н.~М.~Благих, А.~Аллаххах, Л.~Д.~Иванова
\paper Анизотропный смешанный механизм рассеяния дырок в кристаллах Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1) по данным эффектов Нернста--Эттингсгаузена и Зеебека
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1346--1350
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7406}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195296}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1302--1306
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615100188}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7406
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1346
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025