Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1351–1354 (Mi phts7407)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике $\varepsilon$-GaSe

В. Н. Брудныйa, С. Ю. Саркисовa, А. В. Кособуцкийab

a Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
b Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия
PDF полного текста (144 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Высота барьера Шоттки (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) как функция работы выхода металла, а также разрывы энергетических зон гетеропар InSe(0001)/GaSe(0001) и GaSe(0001)/Si(111) проанализированы в рамках концепции уровня зарядовой нейтральности, CNL(GaSe) = $E_{vb}$ + 0.83 эВ, с учетом частичного экранирования интерфейсного электростатического диполя индуцированными металлом (полупроводником) состояниями туннельного типа на поверхности GaSe(0001).
Поступила в редакцию: 03.03.2015
Принята в печать: 09.03.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1307–1310
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615100061
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, “Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике $\varepsilon$-GaSe”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1351–1354; Semiconductors, 49:10 (2015), 1307–1310
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BruSarKos15}
\by В.~Н.~Брудный, С.~Ю.~Саркисов, А.~В.~Кособуцкий
\paper Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике $\varepsilon$-GaSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1351--1354
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7407}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195297}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1307--1310
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615100061}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7407
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1351
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025