Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1367–1370 (Mi phts7410)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Плотность поверхностных состояний в коллоидных нанопластинах CdSe

А. В. Кацабаa, В. В. Федянинab, С. А. Амброзевичa, А. Г. Витухновскийacd, М. С. Соколиковаe, Р. Б. Васильевe

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
b Московский педагогический государственный университет
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
d Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия
e Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (274 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: В коллоидных нанокристаллах CdSe планарной геометрии (нанопластинах) экспериментально обнаружен новый тип ловушек, связанных с поверхностью нанокристаллов, опустошение которых происходит через собственные возбужденные состояния каскадным образом. Их характеризацию проводили оригинальной термолюминесцентной методикой из-за невозможности выявить этот тип ловушек с использованием стандартной схемы термостимулированной люминесценции. Построена энергетическая диаграмма уровней нанопластин с учетом специфики обнаруженных ловушек и определена плотность поверхностных состояний; обнаружены максимумы плостности состояний в области 100 и 280 мэВ.
Поступила в редакцию: 18.02.2014
Принята в печать: 11.03.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1323–1326
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615100103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Кацаба, В. В. Федянин, С. А. Амброзевич, А. Г. Витухновский, М. С. Соколикова, Р. Б. Васильев, “Плотность поверхностных состояний в коллоидных нанопластинах CdSe”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1367–1370; Semiconductors, 49:10 (2015), 1323–1326
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KatFedAmb15}
\by А.~В.~Кацаба, В.~В.~Федянин, С.~А.~Амброзевич, А.~Г.~Витухновский, М.~С.~Соколикова, Р.~Б.~Васильев
\paper Плотность поверхностных состояний в коллоидных нанопластинах CdSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1367--1370
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7410}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195300}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1323--1326
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615100103}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7410
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1367
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025