Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1386–1388 (Mi phts7414)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN

А. А. Лебедевab, С. В. Беловa, М. Г. Мынбаеваa, А. М. Стрельчукa, Е. В. Богдановаa, Ю. Н. Макаровc, А. С. Усиковbc, С. Ю. Куринc, И. С. Барашc, А. Д. Роенковc, В. В. Козловскийd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
c ГК "Нитридные кристаллы", 194156 Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (296 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Диоды Шоттки диаметром $\sim$ 10 мкм изготовлены на основе эпитаксиальных пленок $n$-GaN, выращенных хлор-гидридной эпитаксией (HVPE) на сапфировых подложках. Исследованы изменения параметров диодов при облучении протонами с энергией 15 МэВ. Определена скорость удаления носителей, которая составила 130–145 см$^{-1}$. Линейный характер зависимости $N=f(D)$ ($N$ – концентрация носителей, $D$ – доза облучения) показывает, что компенсация связана с переходом электронов с мелких доноров на глубокие уровни, созданные первичными радиационными дефектами.
Поступила в редакцию: 10.03.2015
Принята в печать: 16.03.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1341–1343
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615100127
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лебедев, С. В. Белов, М. Г. Мынбаева, А. М. Стрельчук, Е. В. Богданова, Ю. Н. Макаров, А. С. Усиков, С. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, В. В. Козловский, “Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1386–1388; Semiconductors, 49:10 (2015), 1341–1343
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebBelMyn15}
\by А.~А.~Лебедев, С.~В.~Белов, М.~Г.~Мынбаева, А.~М.~Стрельчук, Е.~В.~Богданова, Ю.~Н.~Макаров, А.~С.~Усиков, С.~Ю.~Курин, И.~С.~Бараш, А.~Д.~Роенков, В.~В.~Козловский
\paper Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1386--1388
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7414}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195304}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1341--1343
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615100127}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7414
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1386
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025