Поляронная масса носителей в полупроводниковых квантовых ямах

Построена теория взаимодействия носителей заряда с оптическими фононами в квантовой яме с учетом возникновения интерфейсных оптических фононов. Выполнен детальный анализ зависимости эффективной массы полярона от размеров квантовой ямы и диэлектрических характеристик барьеров. Показано, что в узких квантовых ямах возможно возникновение квазидвумерного полярона. Однако параметры взаимодействия при этом определяются эффективной массой носителей в квантовой яме и частотами интерфейсных оптических фононов. Если барьеры изготовлены из неполярного материала, то эффективная масса полярона зависит от ширины квантовой ямы. При увеличении ширины квантовой ямы возникает новый механизм усиления электрон-фононного взаимодействия. Он реализуется в случае совпадения энергии оптического фонона с энергией одного из электронных переходов. Это приводит к немонотонной зависимости эффективной массы полярона от ширины квантовой ямы.