Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1397–1401 (Mi phts7417)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Рентгенофлуоресцентный анализ стекол Ge$_{1-x}$Se$_x$, As$_{1-x}$Se$_x$ и Ge$_{1-x-y}$As$_y$Se$_x$ с использованием электронного возбуждения

Е. И. Теруковa, П. П. Серегинb, А. В. Марченкоb, Д. В. Жилинаa, К. У. Бобохужаевc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
c Национальный университет Узбекистана, 100174 Ташкент, Узбекистан
Аннотация: Метод рентгенофлуоресцентного анализа с возбуждением флуоресценции пучком электронов с энергией 30 кВ применен для определения содержания германия, мышьяка и селена в стеклообразных сплавах Ge$_{1-x}$Se$_x$, As$_{1-x}$Se$_x$ и Ge$_{1-x-y}$As$_y$Se$_x$. С использованием калибровочных зависимостей количественный состав стекол определен с точностью $\pm$ 0.0002 по параметрам $x$ и $y$ в поверхностном слое глубиной $\sim$ 0.1 мкм.
Поступила в редакцию: 19.02.2015
Принята в печать: 25.02.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1352–1356
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615100255
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. И. Теруков, П. П. Серегин, А. В. Марченко, Д. В. Жилина, К. У. Бобохужаев, “Рентгенофлуоресцентный анализ стекол Ge$_{1-x}$Se$_x$, As$_{1-x}$Se$_x$ и Ge$_{1-x-y}$As$_y$Se$_x$ с использованием электронного возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1397–1401; Semiconductors, 49:10 (2015), 1352–1356
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerSerMar15}
\by Е.~И.~Теруков, П.~П.~Серегин, А.~В.~Марченко, Д.~В.~Жилина, К.~У.~Бобохужаев
\paper Рентгенофлуоресцентный анализ стекол Ge$_{1-x}$Se$_x$, As$_{1-x}$Se$_x$ и Ge$_{1-x-y}$As$_y$Se$_x$ с использованием электронного возбуждения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1397--1401
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7417}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195308}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1352--1356
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615100255}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7417
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1397
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025