Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1402–1406 (Mi phts7418)  
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов

А. А. Бобковa, А. И. Максимовa, В. А. Мошниковabc, П. А. Сомовa, Е. И. Теруковad

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (938 kB) Список цитирования (18)
Аннотация: Представлены результаты по получению наноструктурированных слоев оксида цинка. Базовым методом являлся метод гидротермального синтеза. Показана возможность управления структурой и морфологией получаемых слоев. Отмечена значительная роль операции формирования зародышевого слоя. Полученные ограненные гексагональные нанопризмы перспективны для получения солнечных элементов на оксидных гетероструктурах, а легированные алюминием слои оксида цинка с лепестковой морфологией для антиотражательного слоя. Разработки совместимы и перспективны в области гибкой электроники.
Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 26.03.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 10, Pages 1357–1360
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615100048
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Бобков, А. И. Максимов, В. А. Мошников, П. А. Сомов, Е. И. Теруков, “Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1402–1406; Semiconductors, 49:10 (2015), 1357–1360
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BobMaxMos15}
\by А.~А.~Бобков, А.~И.~Максимов, В.~А.~Мошников, П.~А.~Сомов, Е.~И.~Теруков
\paper Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1402--1406
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7418}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195309}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 10
\pages 1357--1360
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615100048}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7418
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i10/p1402
    • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025