Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки

Сообщается о создании фотодетекторов коммуникационного диапазона длин волн $\lambda$ = 1.3–1.55 мкм на базе гетероструктур Ge/Si(001) с толстыми ($\sim$ 0.5 мкм) слоями Ge, выращенными методом горячей проволоки при пониженных (350$^\circ$C) температурах роста. Полученные монокристаллические слои Ge отличались низкой плотностью прорастающих дислокаций ($\sim$ 10$^5$ см$^{-2}$). Фотодетекторы продемонстрировали достаточно высокую квантовую эффективность ($\sim$ 0.05 при $\lambda$ = 1.5 мкм, 300 K) при умеренных значениях плотности обратного тока насыщения ($\sim$ 10$^{-2}$ А/см$^2$). Таким образом, было показано, что метод горячей проволоки является перспективным для формирования интегрированных фотодетекторов коммуникационного диапазона длин волн, в особенности, в условиях ограничений на условия термообработок.