Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440–1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур

Показана возможность создания метаморфных распределенных брэгговских отражателей In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/In$_{0.3}$Al$_{0.7}$As с полосой отражения 1440–1600 нм и с коэффициентом отражения не менее 0.999 на подложке GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрированы возможность заращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии мезаструктур, изготовленных из метаморфных распределенных брэгговских отражателей на подложке GaAs, а также возможность локального формирования микрорезонаторов за два эпитаксиальных процесса. Полученные результаты найдут широкое применение при формировании вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) с захороненным туннельным переходом.