Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1448–1452 (Mi phts7426)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения

А. С. Большаковa, В. В. Чалдышевabc, А. В. Бабичевabd, Д. А. Кудряшовb, А. С. Гудовскихbe, И. А. Морозовb, М. С. Соболевb, Е. В. Никитинаb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
d ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия
e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (371 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Изготовлена и исследована периодическая брэгговская гетероструктура с тремя сверхтонкими квантовыми ямами InAs/GaAs в периоде. Методом спектроскопии электроотражения и путем численного квантово-механического расчета определено расщепление энергий экситонных переходов в квантовых ямах. Обнаружено существенное влияние интерференционных эффектов на величины отдельных пиков в спектре электроотражения.
Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 11, Pages 1400–1404
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615110044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, А. В. Бабичев, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, И. А. Морозов, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, “Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1448–1452; Semiconductors, 49:11 (2015), 1400–1404
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolChaBab15}
\by А.~С.~Большаков, В.~В.~Чалдышев, А.~В.~Бабичев, Д.~А.~Кудряшов, А.~С.~Гудовских, И.~А.~Морозов, М.~С.~Соболев, Е.~В.~Никитина
\paper Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1448--1452
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7426}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195317}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1400--1404
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615110044}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7426
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1448
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025