Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1463–1468 (Mi phts7429)  
Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 24 статьях)

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Д. В. Юрасовab, А. И. Бобровb, В. М. Данильцевa, А. В. Новиковab, Д. А. Павловb, Е. В. Скороходовa, М. В. Шалеевa, П. А. Юнинab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (499 kB) Список цитирования (24)
Аннотация: Исследовано влияние толщины слоя Ge и условий его отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием двухстадийного роста. Выявлены зависимости плотности прорастающих дислокаций и шероховатости поверхности слоев Ge/Si(001) от толщины слоя Ge, от температуры и времени отжига, а также от наличия атмосферы водорода при отжиге. В результате оптимизации условий роста и отжига получены релаксированные слои Ge/Si(001) толщиной $\le$ 1 мкм с плотностью дислокаций на уровне 10$^7$ см$^{-2}$ и среднеквадратичной шероховатостью поверхности менее 1 нм.
Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 11, Pages 1415–1420
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615110263
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, “Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1463–1468; Semiconductors, 49:11 (2015), 1415–1420
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YurBobDan15}
\by Д.~В.~Юрасов, А.~И.~Бобров, В.~М.~Данильцев, А.~В.~Новиков, Д.~А.~Павлов, Е.~В.~Скороходов, М.~В.~Шалеев, П.~А.~Юнин
\paper Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1463--1468
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7429}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195320}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1415--1420
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615110263}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7429
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1463
    • Эта публикация цитируется в следующих 24 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025