Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1473–1477 (Mi phts7431)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs

Д. А. Фирсовa, Л. Е. Воробьевa, М. Я. Винниченкоa, Р. М. Балагулаa, М. М. Кулагинаb, А. П. Васильевb

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (377 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: В структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры фотолюминесценции и межподзонного поглощения света, положение пиков в которых хорошо согласуется с теоретическим расчетом энергий оптических переходов носителей заряда. Исследовано влияние поперечного электрического поля и температуры на межподзонное поглощение света. Оно обусловлено перераспределением электронов между уровнями размерного квантования и изменением энергетического спектра квантовых ям. Проведена оценка величины изменения показателя преломления в области наблюдаемых межподзонных переходов с использованием соотношений Крамерса–Кронига.
Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 11, Pages 1425–1429
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615110081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, М. Я. Винниченко, Р. М. Балагула, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, “Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1473–1477; Semiconductors, 49:11 (2015), 1425–1429
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FirVorVin15}
\by Д.~А.~Фирсов, Л.~Е.~Воробьев, М.~Я.~Винниченко, Р.~М.~Балагула, М.~М.~Кулагина, А.~П.~Васильев
\paper Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1473--1477
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7431}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195323}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1425--1429
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615110081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7431
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1473
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025