Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1489–1491 (Mi phts7434)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку

Д. А. Колпаковa, Б. Н. Звонковa, С. М. Некоркинa, Н. В. Дикареваa, В. Я. Алешкинbc, А. А. Дубиновbc

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950, Нижний Новгород, Россия
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (180 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Впервые реализован многоямный межзонный каскадный лазер с туннельным переходом внутри единого волновода и выходом излучения через подложку. Показано, что в лазерной гетероструктуре такой конструкции происходит более эффективное заполнение квантовых ям по сравнению с традиционным многоямным лазером с выходом излучения через подложку, за счет чего достигается существенное снижение порога генерации.
Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 11, Pages 1440–1442
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615110123
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Колпаков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1489–1491; Semiconductors, 49:11 (2015), 1440–1442
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KolZvoNek15}
\by Д.~А.~Колпаков, Б.~Н.~Звонков, С.~М.~Некоркин, Н.~В.~Дикарева, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов
\paper Полупроводниковый лазер с туннельным $p$--$n$-переходом и выходом излучения через подложку
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1489--1491
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7434}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195326}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1440--1442
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615110123}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7434
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1489
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025