|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1492–1496
(Mi phts7435)
|
|
|
|
XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.
Применение техники годографа к диагностике диодных структур
В. Б. Шмагинab, К. Е. Кудрявцевab, А. В. Новиковab, Д. В. Шенгуровab, Д. В. Юрасовab, З. Ф. Красильникab a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Приведены примеры использования техники годографа при диагностике кремниевых диодных структур. Использование техники годографа позволяет минимизировать погрешности определения емкости $p$–$n$-перехода, обусловленные наличием маскирующих элементов, искажающих результаты прямого измерения емкости диодной структуры в параллельной и последовательной схемах замещения.
Поступила в редакцию: 22.04.2015 Принята в печать: 12.05.2015
Образец цитирования:
В. Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, Д. В. Шенгуров, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Применение техники годографа к диагностике диодных структур”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1492–1496; Semiconductors, 49:11 (2015), 1443–1447
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7435 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1492
|
|