Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ на основе структур с туннельным барьером

Проведено сравнительное исследование циркулярно-поляризованной электролюминесценции в диодах Зеннера на основе гетероструктур InGaAs/$n$-GaAs/$n^+$-GaAs/GaMnAs и InGaAs/$n$-GaAs/$n^+$-GaAs/GaMnSb. Установлено, что циркулярная поляризация связана со спиновой инжекцией электронов из слоя ферромагнитного полупроводника, а параметры излучения определяются свойствами этого слоя. Показано, что ферромагнитные свойства слоя GaMnSb позволяют получить циркулярно-поляризованное излучение при комнатной температуре.